مقاله و تحقیق جدید

پايان نامه طراحي و ساخت مدار محافظ وسايل برقي

فصل اول :

قطعات مدار

۱-۱- ديود ۱N4007

يكسو كننده هاي سيم محوري با بازيابي استاندارد

اين كاتالوگ اطلاعاتي را در مورد يكسوكننده هاي مونتاژي سيم محور كوچك جهت وسايل با توان و داراي كاربردهاي متعدد فراهم مي آورد.

ويژگي هاي مكانيكي :

– بدنه : اپوكسي ، داراي قالب

– وزن : ۴/۰ گرم ( تقريبي )

– پرداخت : كليه سطوح خارجي در برابر خوردگي مقاوم هستند و سيم هاي ترمينال كاملا لحيم كاري شده اند.

– دماي سيم و سطح مونتاژبراي لحيم كاري : ماكزيمم C º۲۲۰ براي ۱۰ ثانيه با فاصله “۱۶/۱ از بدنه.

– بسته بندي شده در كيسه هاي پلاستيكي ، ۱۰۰۰ عدد در هر كيسه ، ۴ نوار و چرخك موجود ، ۵۰۰۰ در هر حلقه ، با اضافه نمودن پسوند RL  به شماره قطعه

– قطبيت : كاتد مطابق با باند قطبي

– نوع :۴۰۰۱N1،۴۰۰۲N1 ، ۴۰۰۳N1 ، ۴۰۰۴N1 ،۴۰۰۵N1، ۴۰۰۶N1،۴۰۰۷N1

 

شكل ۱-۱-۱ : شکل فیزیکی قطعه

 

 

 

مقادير نماد ۱N4001 ۱N4002 ۱N4003 ۱N4004 ۱N4005

۱N4006

۱N4007

واحد
ماكزيمم ولتاژ معكوس تكرار

ماكزيمم ولتاژ معكوس كار

قفل كننده ولتاژ DC

VRRM

 

VRWM

 

 

 

VR

۵۰ ۱۰۰ ۲۰۰ ۴۰۰ ۶۰۰ ۸۰۰ ۱۰۰۰ V
ماكزيمم ولتاژ معكوس غير مكرر

( نيم موج ، تك فاز

HZ 60 )

VRSM ۶۰ ۱۲۰ ۲۴۰ ۴۸۰ ۷۲۰ ۱۰۰۰ ۱۲۰۰ V

 

ولتاژ RMS

معكوس

VR (RMS )

 

۳۵ ۷۰ ۱۴۰ ۲۸۰ ۴۲۰ ۵۶۰ ۷۰۰ V
ميانگين جريان مستقيم يكسوكننده

( تك فاز ، بار مقاومتي ، HZ 60 الگوي ۸ را ببينيد ،

C) º ۷۵= TA )

Io ۱/۰ ۱/۰ ۱/۰ ۱/۰ ۱/۰ ۱/۰ ۱/۰ A

ماكزيمم جريان غير مكرر منبع

IFSM

 

 

۳۰

( براي ۱ سيكل )

A
رنج دما براي اتصال عملي و ذخيره Tj

TSTG

 

۶۵    تا   ۱۷۵ +  

C º

جدول ۱-۱-۱- ماكزيمم مقادير مجاز

 

 

 

 

مقادير نماد نرمال ماكزيمم واحد
ماكزيمم افت ولتاژ مستقيم لحظه اي VF ۹۳/۰ ۱/۱ V
ماكزيمم افت ولتاژ مستقيم سيكل كامل به طور متوسط ( در هر ۱ اينچ از سيم )

C º ۷۵= TL  ، Amp 1  IO =

VF (AV)    

۸/۰

 

V

ماكزيمم جريان معكوس ( ولتاژ DC مجاز

 

C º ۲۵ = Tj

C º ۱۰۰ = Tj

 

IR

 

 

۰۵/۰

۱

 

 

۱۰

۵۰

 

µA

ماكزيمم جريان معكوس به طور متوسط

( در هر اينچ از سيم )

C º ۷۵= TL  ، Amp 1  IO =

 

 

IR ( AV )

 

 

 

 

۳۰

 

µA

جدول ۲-۱-۱- مشخصات الكتريكي

 

 

بعد

ميليمتر اينچ  
مينيمم ماكزيمم مينيمم ماكزيمم  
A ۰۷/۴ ۲۰/۵ ۱۶/۰ ۲۰۵/۰  
B ۰۴/۲ ۷۱/۲ ۰۸۰/۰ ۱۰۷/۰  
D ۷۱/۰ ۸۶/۰ ۰۲۸/۰ ۰۳۴/۰  
F   ۲۷/۱   ۰۵۰/۰  
K ۹۴/۲۷   ۱۰۰/۱    

جدول ۳- ۱-۱- ابعاد قطعه

 

 شكل ۲-۱-۱ : ابعاد قطعه

۲-۱- ترانزيستور Bc547

ترانزيستور NPN  سيليكوني با سيگنال كوچك AF

۵۴۶BC تا ۵۵۰ BCترانزيستورهاي NPN سيليكوني مسطح رونشستي هستند ، براي استفاده در سيگنال كوچك AF و مراحل تقويت و هدايت مدار تزويج .

با ۵۵۶ BCتا ۵۶۰ BCتكميل مي شوند .

۵۴۹ BCو ۵۵۹ BCبا الگوي نويز پايين مشخص مي شوند .

شكل ۱-۲-۱: شكل فيزيكي قطعه

 

پارامتر ها BC546 BC547 BC548 BC549 BC550
ولتاژ كلكتور بيس ( VCBO ) V 80 V 50 V 30 V 30 V 50
ولتاژ كلكتور اميتر ( VBE = 0 )

( VCES )

V 80

 

V 50 V 30 V 30 V 50
ولتاژ كلكتور اميتر ( IB = 0 )

( VCEO )

V 65 V  ۴۵ V 30 V 30 V    ۴۵
ولتاژ بيس –  اميتر ( VEBO ) V 6 V 6 V 5 V 5 V 5
جريان كلكتور ( IC ) mA 100 mA   ۱۰۰ mA   ۱۰۰ mA 100 mA 100
ماكزيمم جريان كلكتور ( ICM ) mA 200 mA 200 mA 200 mA 200 mA 200
توان اتلاف نهايي (  )

( Ptot )

mW 500

( كاهش حد مجاز C º  mW   ۴  بالاي C º ۲۵ )

دماي اتصال عملي و ذخيره (Tstg و Tj ) ( C º ۵۵ – ) تا (C º ۱۵۰ + )

جدول ۱-۲-۱- مقادير ماكزيمم مطلق

 

شكل ۲-۲-۱ : اندازه گیری لرزش نویز

 

 

پارامترها نماد ماكزيمم نرمال مي نيمم واحد حالت تست
ولتاژ شكست كلكتور بيس BVCBO          

 

 

        

BC546     ۸۰ V
BC547     ۵۰ V
BC548     ۳۰ V
BC549     ۳۰ V
BC550     ۵۰ V
ولتاژ شكست كلكتور اميتر BVCES          

 

         

 

BC546       ۸۰ V
BC547       ۵۰ V
BC548       ۳۰ V
BC549       ۳۰ V
          BC550         ۵۰ V
ولتاژ شكست كلكتور اميتر

BC546

BC547

            BC548

BC549

BC550

LVCEO      

۶۵

۴۵

۳۰

۳۰

۴۵

 

V

V

V

V

V

 

 

          

ولتاژ شكست بيس اميتر

BC546 –۵۴۷

 

VEBO      

۶

 

 

۵

 

V

 

 

V

 

 

BC548 – ۵۵۰
جريان قطع كلكتور ICBO  

۱۵

 

 

۵          

 

     

nA

 

 

mA

 

 

 

 

ولتاژ اشباع كلكتور اميتر VCE sat     ۲۵/۰

 

 

    ۶/۰  

۰۷/۰

 

 

  ۲۲/

   

 

 

V

 

 

 

V

 

 

 

 

 

ولتاژ زانويي كلكتور اميتر VCEK     ۶/۰   ۳/۰   V = مقداري به ازاي
ولتاژ بيس اميتر اشباع VBE ( sat )   ۷/۰    

V

  ۹/۰ 

 

   V

  

ولتاژ بيس اميتر VBE  

۷/۰

          ۶۳/۰     ۵۸/۰  

   V

 

     ۷/۰

 

۶۸/۰

   

V  

حاصل ضرب بهره در عرض باند جريان FT    

۲۵۰

 

 

 

MHZ

ظرفيت كلكتور بيس C ob        

۵/۴

 

۷/۲

   

PF   

الگوي نويز

BC546 –۵۴۸

BC549 – ۵۵۰

 

N F  

۱۰

 

     ۲

   

dB

 

     ۴

 

 

۴/۱

 

dB

  الگوي نويز

فقط BC549

فقط BC550

N F  

      ۴

    ۲/۱    

dB

 
       ۳      ۲/۱ dB
ولتاژ نويز فيكر مربوط به بيس

فقط BC549BC550

EN    ۱۳۵/۰     μV

جدول ۲-۲-۱- مشخصات الكتريكي

                              ( c o 25 = TA مگر اين كه مقادير ديگري ذكر شود )

 

پايان نامه طراحي و ساخت مدار محافظ وسايل برقي

نوشته پايان نامه طراحي و ساخت مدار محافظ وسايل برقي اولین بار در فايل مارکت - بازار فايل. پدیدار شد.

لطفا از لینک زیر دانلود کنید دانلود 

فایل

Powered by WPeMatico

نظرات() 

تحقیق جذب آب توسط ريشه در گياهان

تحقيق رابطه آب و خاك

ارتباط گياه با آب عمدتا از طريق ريشه صورت مي گيرد. بنابراين در بررسي  روابط آب و گياه بايد به سيستم ريشه اي گياهان و نقش آن درجذب آب و نمو گياه نيز توجه شده سيستم هاي ريشه اي در گياه چهار وظيفه مهم بر عهده دارند كه عبارتند از: عمل كردن به عنوان لنگر گياه، جذب آب و مواد غذايي، ساختن تركيبات آلي و ذخيره مواد غذايي مورد نياز گياه آب در طول گراديان پتانسيل از طريق ريشه ها، ساقه ها و برگهاي گياه از خاك به اتمسفر حركت مي كند.

آب در طي جذب به وسيله سيستم ريشه اي در دو مسير مجزا حركت مي كند يكي از طريق بافت بين سلولهاي اپيدري سطح ريشه و آوندهاي چوبي درون مغز ريشه و ديگري از طريق كاپيله ي موجود بين نقطه اي كه به داخل آوند چوبي جذب مي شود و قاعده بخش هاي هوايي مي باشد.

فرآيندهاي جريان كاپيلاري در بخشي كه مسيرهاي آوند چوبي را براي حركت آب نشان مي دهد توضيح خواهيم داد ولي با اين وجود در ريشه ها جريان كاپيلاري مي تواند تحت تاثير ورود آب در طول مسيرآوند چوبي قرار گيرد و باعث شود جريانها و پتانسيل ها مستقل از اثر بعد كاپيلاري تغيير كنند. اين امر محاسبه جريان آوند چوبي در ريشه ها را پيچيده مي كند و ممكن است به علت اختلال در تلاطم جريان غشايي كه در اثر ورود آب به ديواره آوند به وجود مي آيد باعث انحراف از جريان پوئي سيول شود. اگر چه اين اثرات پيشگويي جريان آب را در قسمت هاي مختلف سيستم ريشه اي بي نهايت مشكل مي كند ولي بعضي از دانشمندان سعي كردند خصوصيات ضروري جريان كاپيلاري را در يك سيستم ريشه گندم شبيه سازي كنند.

حركت آب از طريق بافت ريشه مي تواند از طريق مسيرهاي ديگري نيز صورت گيرد كه اين موضوع را در بخش مسيرهاي حركت آب خواهيم گفت.

برخي از ساختمانهاي بافت ريشه كه قبل از ورود به آوند چوبي بايد از آنها عبور كند به علت اختلاف در مورفولوژي سلولهاي آنها بر حركت آب اثر خواهد گذاشت.

بيشترين اثر در رابطه با تغييرات مورفولوژي سلولها به علت بلوغ بافت هاي مختلف و چوب پنبه اي شدن آنها، بخصوص در آندودرم مي باشد. سلولهاي آندودرمي ريشه گياه نواري غير قابل نفوذ را دو ديواره هاي شعاعي سلولها تشكيل مي دهد كه حلقه كاسپاري نام دارد. و مانع از حركت آب در ديواره سلولها در اين نقطه مي شود. بلوغ باعث ضخيم شدن حلقه كاسپاري و به دنبال آن چوب پنبه اي شدن ديواره هاي تماسي مي شود و به طور فزاينده اي مانع از حركت آپولپلاتيك آب در آندودرم مي گيرد. آب براي پيمودن آندودرم، بايد وارد سيمپلاست شود و از طريق پلاسمودرماتا مستقيما به آوند چوبي عبور كند و قبل از اينكه وارد آوند چوبي شود دوباره در آپوبلاست پارانشيم مغزي نفوذ كند. بر طقبق مشاهدات هيجين بوتام عبور از ديواره آوندهاي چوبي بالغ ممكن است همچنين با چوب پنبه اي شدن وتفلفات پروتوپلاسم باقيمانده و پلاسمودزماتاي آن محدود شود.

جذب آب به وسيله ريشه ها:

سيستم هاي ريشه اي گياهان زراعي معمولا در لايه هاي سطحي خاك كه داراي مقدار زيادي مواد غذايي قابل دسترس بود. و به وسيله بارندگي يا آبياري مجدداً مرطوب مي شوند بيشتر متمركز مي شود.

البته ريشه را مي توان جهت نفوذ به عمق خاك از طريق خشكي طولاني سطح خاك يا وجود سطح اسيتايي آب در منطقه ريشه دهي تحريك نمود. دو خصوصيت مهم سيستم هاي ريشه اي گياهان زراعي بر حذف آب توسط آنها اثر مي گذارد. اولين خصوصيت تراكم زياد ريشه است كه مي تواند باعث تخليه سريع آب قابل دسترس لايه هاي سطحي خاك و ديگري نفوذ ريشه به اعماق است كه ميتواند حجم بيشتري از آب خاك را در مقايسه با آنچه لايه هاي سطحي مي تواند تامين كند براي گياه قابل دسترس كند.

جذب آب به وسيله ريشه هاي عميق تا حدودي تحت تاثير ريشه ها در خاك و مقاومت هاي ايجاد شده بو وسيله طول آوند چوبي مورد نياز براي انتقال آب به سطح خاك قرار مي گيرد. بعد از اينكه مقاومت آوند چوبي به انتقال آب به حساب آورده شد،‌ پس جذب آب به وسيله ريشه ها در هر لايه اي از خاك عمدتا تحت تاثير مقاومت هاي شعاعي نسبت به حركت آب از خاك به سطح ريشه و پس از طريق بافت هاي ريشه به آوند چوبي قرار مي گيرد. از اين پس براي سهولت، جذب آب به عنوان فرايندهاي موثر در حركت آب به طور شعاعي از خاك به ريشه و در ريشه تا زمانيكه وارد آوند چوبي مي شود در نظر گرفته خواهد شد. اين امر شامل اثر مقاومت هاي شعاعي در خاك و در ريشه مي شود. به همين ترتيب انتقال آب به فرايندهاي موثر در حركت آب به طور محوري در آوندهاي چوبي در گياه نيز نسبت داده مي شود. اين امر شامل مقاومت هاي نوع پوئي سول و احتمالا جاذبه مي شود.

بنابراين يك سيستم ريشه اي تحت تاثير جذب نسبي آب به وسيله بخش هاي مختلف ريشه قرار مي گيرد،‌ اين موضوع به خصوص جائيكه ريشه ها تنك هستند صادق است. مدارك زيادي حاكي از جذب ترجيحي آب به وسيله بخشي از ريشه است كه درست در پشت منطقه طويل شدن قرار گرفته است.

در بعضي گونه ها مانند ذرت وجود جذب آب و يون ها تحت تاثير سو چوب پنبه اي شدن آندودرم تا ۳۰-۲۰ سانتيمتري از نوك ريشه قرار نمي گيرد.

در حدود cm10 از نوك جذب آب معمولا به حداكثر خود مي رسد. چوب پنبه اي شدن- ريشه ها در رابطه با پيري مقاومت به جذب آب و يونها را به خصوص يا چوب پنبه اي شدن آندودرم افزايش مي دهد.

تحقیق جذب آب توسط ريشه در گياهان

نوشته تحقیق جذب آب توسط ريشه در گياهان اولین بار در فايل مارکت - بازار فايل. پدیدار شد.

لطفا از لینک زیر دانلود کنید دانلود 

فایل

Powered by WPeMatico

نظرات() 

آمار وبلاگ

  • کل بازدید :
  • بازدید امروز :
  • بازدید دیروز :
  • بازدید این ماه :
  • بازدید ماه قبل :
  • تعداد نویسندگان :
  • تعداد کل پست ها :
  • آخرین بازدید :
  • آخرین بروز رسانی :
خرید تلویزیون تلویزیون سونی سینما خانگی گوشی شیائومی گوشی آیفون تاچ ال سی دی برد گوشی گوشی سامسونگ گوشی هواوی قیمت یاب گوشی آنر

شبکه اجتماعی فارسی کلوب | Buy Website Traffic | Buy Targeted Website Traffic